Low temperature thermal atomic layer deposition of aluminum nitride using hydrazine as the nitrogen source

  1. Jung, Y.C.
  2. Hwang, S.M.
  3. Le, D.N.
  4. Kondusamy, A.L.N.
  5. Mohan, J.
  6. Kim, S.W.
  7. Kim, J.H.
  8. Lucero, A.T.
  9. Ravichandran, A.
  10. Kim, H.S.
  11. Kim, S.J.
  12. Choi, R.
  13. Ahn, J.
  14. Alvarez, D.
  15. Spiegelman, J.
  16. Kim, J.
Revista:
Materials

ISSN: 1996-1944

Any de publicació: 2020

Volum: 13

Número: 15

Pàgines: 1-10

Tipus: Article

DOI: 10.3390/MA13153387 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus