Reliability and Robustness Tests for Next-Generation High-Voltage SiC MOSFETs

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Revista:
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

ISSN: 2168-6785,  2168-6777

Año de publicación: 2021

Volumen: 9

Número: 4

Páginas: 4320-4329

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/JESTPE.2020.3028159 GOOGLE SCHOLAR
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