Reliability and Robustness Tests for Next-Generation High-Voltage SiC MOSFETs

  1. Soler, V.
  2. Cabello, M.
  3. Banu, V.
  4. Jorda, X.
  5. Montserrat, J.
  6. Rebollo, J.
  7. Rogina, M.R.
  8. Mihaila, A.
  9. Godignon, P.
Revista:
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

ISSN: 2168-6785,  2168-6777

Any de publicació: 2021

Volum: 9

Número: 4

Pàgines: 4320-4329

Tipus: Article

DOI: 10.1109/JESTPE.2020.3028159 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus