Reliability and Robustness Tests for Next-Generation High-Voltage SiC MOSFETs

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Zeitschrift:
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics

ISSN: 2168-6785,  2168-6777

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 9

Nummer: 4

Seiten: 4320-4329

Art: Artikel

DOI: 10.1109/JESTPE.2020.3028159 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus