Rashba semiconductor as spin Hall material: Experimental demonstration of spin pumping in wurtzite n-GaN:Si

  1. Adhikari, R.
  2. Matzer, M.
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  4. Scharber, M.C.
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Revista:
Physical Review B

ISSN: 2469-9969 2469-9950

Ano de publicación: 2016

Volume: 94

Número: 8

Tipo: Artigo

DOI: 10.1103/PHYSREVB.94.085205 GOOGLE SCHOLAR