Rashba semiconductor as spin Hall material: Experimental demonstration of spin pumping in wurtzite n-GaN:Si

  1. Adhikari, R.
  2. Matzer, M.
  3. Martín-Luengo, A.T.
  4. Scharber, M.C.
  5. Bonanni, A.
Revista:
Physical Review B

ISSN: 2469-9969,  2469-9950

Any de publicació: 2016

Volum: 94

Número: 8

Tipus: Article

DOI: 10.1103/PHYSREVB.94.085205 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus