Effect of dielectric polarization on the properties of charged point defects in insulating crystals: The nitrogen vacancy in AlN

  1. Vail, J.M.
  2. Schindel, D.
  3. Yang, A.
  4. Penner, O.
  5. Pandey, R.
  6. Jiang, H.
  7. Blanco, M.A.
  8. Costales, A.
  9. Qiu, Q.C.
  10. Xu, Y.
Zeitschrift:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 16

Nummer: 20

Seiten: 3371-3378

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0953-8984/16/20/008 GOOGLE SCHOLAR