Effect of dielectric polarization on the properties of charged point defects in insulating crystals: The nitrogen vacancy in AlN

  1. Vail, J.M.
  2. Schindel, D.
  3. Yang, A.
  4. Penner, O.
  5. Pandey, R.
  6. Jiang, H.
  7. Blanco, M.A.
  8. Costales, A.
  9. Qiu, Q.C.
  10. Xu, Y.
Revista:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 0953-8984

Any de publicació: 2004

Volum: 16

Número: 20

Pàgines: 3371-3378

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0953-8984/16/20/008 GOOGLE SCHOLAR