Tris(dimethylamido)aluminum(III) and N2H4: Ideal precursors for the low-temperature deposition of large grain, oriented c-axis AlN on Si via atomic layer annealing

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Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Año de publicación: 2021

Volumen: 554

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.APSUSC.2021.149656 GOOGLE SCHOLAR
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