Quantitative depth profile analysis of boron implanted silicon by pulsed radiofrequency glow discharge time-of-flight mass spectrometry

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Revista:
Solar Energy Materials and Solar Cells

ISSN: 0927-0248

Ano de publicación: 2010

Volume: 94

Número: 8

Páxinas: 1352-1357

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SOLMAT.2010.04.002 GOOGLE SCHOLAR
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