Quantitative depth profile analysis of boron implanted silicon by pulsed radiofrequency glow discharge time-of-flight mass spectrometry

  1. Pisonero, J.
  2. Lobo, L.
  3. Bordel, N.
  4. Tempez, A.
  5. Bensaoula, A.
  6. Badi, N.
  7. Sanz-Medel, A.
Revista:
Solar Energy Materials and Solar Cells

ISSN: 0927-0248

Any de publicació: 2010

Volum: 94

Número: 8

Pàgines: 1352-1357

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.SOLMAT.2010.04.002 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus