Characteristics of GaAsAlGaAs (SCH) lasers grown by low‐temperature LPE technique

  1. Diaz, P.
  2. Prutskij, T.A.
  3. Sanchez, M.
  4. Larionov, V.R.
  5. Khvostikov, V.P.
Zeitschrift:
Crystal Research and Technology

ISSN: 1521-4079,  0232-1300

Datum der Publikation: 1989

Ausgabe: 24

Nummer: 9

Seiten: 921-928

Art: Artikel

DOI: 10.1002/CRAT.2170240914 GOOGLE SCHOLAR
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