Mechanism of the band gap opening across the order-disorder transition of Si(111)(4×1)-In

  1. González, C.
  2. Guo, J.
  3. Ortega, J.
  4. Flores, F.
  5. Weitering, H.H.
Revista:
Physical Review Letters

ISSN: 0031-9007,  1079-7114

Any de publicació: 2009

Volum: 102

Número: 11

Tipus: Article

DOI: 10.1103/PHYSREVLETT.102.115501 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus