All-GaN-Integrated Cascode Heterojunction Field Effect Transistors

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Revista:
IEEE Transactions on Power Electronics

ISSN: 0885-8993

Año de publicación: 2017

Volumen: 32

Número: 11

Páginas: 8743-8750

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TPEL.2016.2643499 GOOGLE SCHOLAR
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