All-GaN-Integrated Cascode Heterojunction Field Effect Transistors

  1. Jiang, S.
  2. Lee, K.B.
  3. Guiney, I.
  4. Miaja, P.F.
  5. Zaidi, Z.H.
  6. Qian, H.
  7. Wallis, D.J.
  8. Forsyth, A.J.
  9. Humphreys, C.J.
  10. Houston, P.A.
Revista:
IEEE Transactions on Power Electronics

ISSN: 0885-8993

Any de publicació: 2017

Volum: 32

Número: 11

Pàgines: 8743-8750

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TPEL.2016.2643499 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus