High-Mobility Flexible Transistors with Low-Temperature Solution-Processed Tungsten Dichalcogenides

  1. Carey, T.
  2. Cassidy, O.
  3. Synnatschke, K.
  4. Caffrey, E.
  5. Garcia, J.
  6. Liu, S.
  7. Kaur, H.
  8. Kelly, A.G.
  9. Munuera, J.
  10. Gabbett, C.
  11. O’Suilleabhain, D.
  12. Coleman, J.N.
Revista:
ACS Nano

ISSN: 1936-086X,  1936-0851

Any de publicació: 2023

Volum: 17

Número: 3

Pàgines: 2912-2922

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACSNANO.2C11319 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus