Influence of strain relaxation in axial Inx1-x GaN nanowire heterostructures on their electronic properties

  1. Marquardt, O.
  2. Krause, T.
  3. Kaganer, V.
  4. Martín-Sánchez, J.
  5. Hanke, M.
  6. Brandt, O.
Revista:
Nanotechnology

ISSN: 1361-6528,  0957-4484

Año de publicación: 2017

Volumen: 28

Número: 21

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6528/AA6B73 GOOGLE SCHOLAR
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