Growth and characterization of GaAs by metalorganic chemical vapor deposition using triethylgallium and solid arsenic

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Revista:
Modern Physics Letters B

ISSN: 0217-9849

Año de publicación: 2001

Volumen: 15

Número: 17-19

Páginas: 733-736

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1142/S0217984901002415 GOOGLE SCHOLAR
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