Metallization and Schottky-barrier formation for Se-passivated GaAs(1 0 0) interfaces

  1. Biel, B.
  2. Benito, I.
  3. Gónzalez, C.
  4. Blanco, J.M.
  5. Ortega, J.
  6. Pérez, R.
  7. Flores, F.
Revue:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Année de publication: 2002

Volumen: 190

Número: 1-4

Pages: 475-479

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00921-7 GOOGLE SCHOLAR
La source de données: Scopus