Effect of high Al2O3 content on the microstructure and electrical properties of Co- and Ta-doped SnO2 varistors

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Revista:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 1573-482X,  0957-4522

Año de publicación: 2019

Volumen: 30

Número: 18

Páginas: 17342-17349

Tipo: Artículo

DOI: 10.1007/S10854-019-02082-6 GOOGLE SCHOLAR
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