Caracterización y modelado de dispositivos semiconductores para uso en sistemas de telecomunicaciones a frecuencias de terahercios

Resumen

El objetivo de esta tesis ha sido el estudio, la caracterización y el modelado de diodos Schottky, desde continua (DC) hasta la banda de frecuencia W. Se trata de diodos comerciales que se han desarrollado en Virginia Diodes: un diodo Schottky simple (SA), un diodo Zero Bias (ZBD) y una configuración de dos diodos en antiparalelo. El modelado se ha realizado mediante una combinación de medidas en continua, medidas en baja frecuencia, medidas de los parámetros de scattering para dos rangos recuenciales (DC-50GHz, 75-110GHz), medidas Pin/Pout, y medidas del montaje de un conjunto de transiciones de coplanar a microstrip, unidas mediante hilos de �bonding� para llevar a cabo el proceso de obtención de los parámetros de los diodos y lograr sus modelos completos finales hasta 110GHz, medidas directas sobre el diodo utilizando puntas de prueba coplanares en los contactos del ánodo y el cátodo de los diodos, para verificar que la coherencia del modelo no se ve afectada por los efectos parásitos asociados a los hilos de �bonding�, y a las transiciones. Se ha realizado también un análisis completo del ruido de los diodos que incluye caracterización, medidas, modelado y simulación, para examinar las propiedades de ruido en baja frecuencia de los diodos Schottky de GaAs.