Characterization of doped amorphous silicon thin films through the investigation of dopant elements by glow discharge spectrometry. A correlation of conductivity and bandgap energy measurements

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  7. Fernández, B.
Revista:
International Journal of Molecular Sciences

ISSN: 1422-0067

Año de publicación: 2011

Volumen: 12

Número: 4

Páginas: 2200-2215

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/IJMS12042200 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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