Simulación de cristales débilmente correlacionados con métodos cuánticos localesel modelo del ion perturbado ab initio

Abstract

SE UTILIZA EL MARCO DE LA TEORIA DE SEPARABILIDAD ELECTRONICA PARA INVESTIGAR LA POSIBILIDAD DE FORMULAR MODELOS CUANTICOS LOCALIZADOS EN EL ENTORNO CRISTALINO, PARTICULARIZANDO PARA EL MODELO DEL ION PERTURBADO. AB INITIO SE DEMUESTRA QUE DICHO MODELO DE LOCALIZACION FORZADA SE ENMARCA ADECUADAMENTE USANDO LA TEORIA HARTREE-FOCK PARA OBBITALES ORTOGONALES, RESULTANDO UN CASO PARTICULAR DE LAS ECUACIONES DE ADAMS-GILBERT Y JUSTIFICANDOSE POR PRIMERA VEZ EL USO Y SIGNIFICADO FISICO DE LA LLAMADA ENERGIA DE PROYECCION EL MODELO SE EXAMINA PARA CRISTALES DEBILMENTE ENLAZADOS Y DEBILMENTE CORRELACIONADOS. COMO LOS CRISTALES DE GASES NOBLES Y SE ANALIZAN Y EVALUAN ALGUNAS DE SUS APROXIMACIONES. POR ULTIMO SE MUESTRAN CIERTAS APLICACIONES AL DISEÑO NO EMPIRICO DE POTENCIALES INTERATOMICOS Y RESOLUCION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS POR DIFRACCION DE RAYOS X. TAMBIEN SE PRESENTA UNA POSIBLE GENERALIZACION DEL FORMALISMO DEL ION PERTURBADO A CASOS CON COEXISTENCIA DE CAPAS ABIERTAS DILUIDAS.